Разработана новая методика, позволяющая производить высококачественные алмазные изделия методом аддитивного формирования из газовой фазы
Размер:
A A A
Цвет: C C C
Изображения Вкл. Выкл.
Обычная версия сайта

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ МЕТАЛЛУРГИИ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ им. А.А. Байкова
Российской академии наук
(ИМЕТ РАН)

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
ИНСТИТУТ МЕТАЛЛУРГИИ И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ им. А.А. Байкова
Российской академии наук
(ИМЕТ РАН)

Ленинский проспект, 49
imet@imet.ac.ru

Разработана новая методика, позволяющая производить высококачественные алмазные изделия методом аддитивного формирования из газовой фазы

Разработана новая методика, позволяющая производить высококачественные алмазные изделия методом аддитивного формирования из газовой фазы

Эта технология открывает широкие перспективы для дальнейшего прогресса. Одним из главных достижений стала демонстрация способности синтезировать варистор — ключевой элемент электронных схем, предназначенный для защиты аппаратуры от перенапряжений, — непосредственно из алмазных порошков методом аддитивного формирования с использованием газовой фазы.

Созданный учеными ИМЕТ РАН российский алмазный варистор показал прекрасные результаты по ключевым параметрам, таким как стабильность электрических характеристик и тепловая проводимость. Результаты экспериментов подтвердили эффективное формирование массивных алмазных структур с минимальной пористостью и отличным качеством.

Исследование опубликовано в журнале Diamond and Related Materials.

Подробнее — на сайте Российской академии наук, в журнале Поиск, а также на портале наука.рф.

Свяжитесь с нами!

ФИО (полностью)

Некорректно заполено поле

Ваш e-mail

Некорректно заполено поле

Контактный телефон

Некорректно заполено поле

Возраст

Некорректно заполено поле

Ваша организация/ВУЗ

Некорректно заполено поле

Как вы узнали о мероприятии?

Некорректно заполено поле

Ваши пожелания/комментарии

Некорректно заполено поле

Некорректно заполено поле

Нажимая отправить вы соглашаетесь с политикой конфиденциальности